宇芯微 中低壓MOS 8mΩ 低內(nèi)阻NMOS 100N10 DFN5X6-8L 電源管理MOS
電源管理MOS 100N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
消費電子電源
馬達(dá)控制
同步整流
同步整流應(yīng)用程序
電源管理MOS 100N10的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 300 | |
| PD | 總耗散功率 | 148 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 130 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.84 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
電源管理MOS 100N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A | 6.5 | 8 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 60.7 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 14.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3530 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 560.1 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 9 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 22.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 8.6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 66.6 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 42.1 |
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