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產(chǎn)品分類

Product Categories
80N10 DFN5X6-8L 100V/80A N溝道MOS管
80N10 DFN5X6-8L 100V/80A N溝道MOS管
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：80N10
產(chǎn)品封裝：DFN5X6-8L
產(chǎn)品標(biāo)題：消費(fèi)電子MOS 80N10 DFN5X6-8L 100V/80A N溝道MOS管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


消費(fèi)電子MOS 80N10 DFN5X6-8L 100V/80A N溝道MOS管



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消費(fèi)電子MOS 80N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 消費(fèi)電子電源

  • 馬達(dá)控制

  • 同步整流

  • 同步整流應(yīng)用程序



消費(fèi)電子MOS 80N10的極限值：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：80A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：296A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：220mJ

  • 雪崩電流 IAS：30A

  • 總耗散功率 PD：78W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作溫度 TJ：-55~150℃

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：25℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1℃/W

 


消費(fèi)電子MOS 80N10的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


6.88.5mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


812
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
36
nC
Qgs柵源電荷密度

7.8
Qgd柵漏電荷密度
8.8
Ciss輸入電容
1959

pF
Coss輸出電容
731
Crss反向傳輸電容
3
td(on)開啟延遲時(shí)間
10.7
ns
tr開啟上升時(shí)間

21


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
31
tf
開啟下降時(shí)間
10.7


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