100V 低壓場效應(yīng)管 40N10 DFN5X6-8L 小封裝MOS管 應(yīng)用于消費(fèi)電子
低壓場效應(yīng)管 40N10的引腳配置圖：
低壓場效應(yīng)管 40N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 40 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 120 | |
| PD | 總耗散功率 | 72 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 30 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.74 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
低壓場效應(yīng)管 40N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=8A | 16 | 20 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 26 | ||||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1190.6 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 194.6 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4.1 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 17.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 3.9 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 33.5 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 3.2 |
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