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馬達(dá)控制MOS管 20N10 TO-252 100V/20A 中低壓MOS 大芯片場(chǎng)效應(yīng)管

馬達(dá)控制MOS管 20N10的產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 低內(nèi)阻

• 極低的開關(guān)損耗

• 封裝：TO-252
  

馬達(dá)控制MOS管 20N10的用途：

• 消費(fèi)電子電源

• 馬達(dá)控制

• 同步整流

• 同步整流應(yīng)用程序
  

馬達(dá)控制MOS管 20N10的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，T_J=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：100V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：20A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：45A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：4.2mJ

• 總耗散功率 P_D：17W

• 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作溫度 T_J：-55~150℃

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：62℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：7.4℃/W

馬達(dá)控制MOS管 20N10的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)