功率放大器MOS 70N10 TO-220 低內(nèi)阻MOS管 低壓NMOS
功率放大器MOS 70N10的特點：
VDS=100V
ID=70A
RDS(ON)＜14mΩ@VGS=10V
封裝：TO-220
功率放大器MOS 70N10的用途：
功率放大器
電機驅(qū)動
功率放大器MOS 70N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 70 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 560 | |
| PD | 總耗散功率 | 500 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 2943 | mJ |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 82 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.75 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 |
功率放大器MOS 70N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=28A | 12 | 14 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 85 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 60 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 15 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 45 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5600 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 610 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 260 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 20 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 28 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 65 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 15 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
