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產(chǎn)品分類

Product Categories
100V 電源管理MOS管 57N10 TO-220
100V 電源管理MOS管 57N10 TO-220
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:57N10
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標(biāo)題:100V 電源管理MOS管 57N10 TO-220 場效應(yīng)管資料 N型MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


100V 電源管理MOS管 57N10 TO-220 場效應(yīng)管資料 N型MOSFET



電源管理MOS管 57N10的用途:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



電源管理MOS管 57N10的極限值:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)57A
IDM漏極電流-脈沖120
PD總耗散功率72W
EAS單脈沖雪崩能量30mJ
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻1.74
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



電源管理MOS管 57N10的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=8A


1420
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


1826
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
19.8
nC
Qgs柵源電荷密度

2.4
Qgd柵漏電荷密度
5.3
Ciss輸入電容
1190.6
pF
Coss輸出電容
194.6
Crss反向傳輸電容
4.1
td(on)開啟延遲時間
17.8
ns
tr開啟上升時間

3.9


td(off)關(guān)斷延遲時間
33.5
tf
開啟下降時間
3.2


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