國產(chǎn)100VMOS 55N10 TO-263 貼片場效應(yīng)管 MOSFET報(bào)價
國產(chǎn)100VMOS 55N10的特點(diǎn)：
VDS=100V
ID=55A
RDS(ON)＜21mΩ@VGS=10V
封裝：TO-263
國產(chǎn)100VMOS 55N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 55 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 110 | |
| PD | 總耗散功率 | 50 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 57 | mJ |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
國產(chǎn)100VMOS 55N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 15 | 21 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7A | 20 | 26 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.4 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 16.2 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1003.9 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 185.4 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 9.8 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 16.6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 3.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 75.5 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 46 |
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