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產(chǎn)品分類

Product Categories
國產(chǎn)P型MOS管 13P06 TO-252
國產(chǎn)P型MOS管 13P06 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:13P06
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標題:國產(chǎn)P型MOS管 13P06 TO-252 貼片MOS管絲印 低壓MOS選型
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國產(chǎn)P型MOS管 13P06 TO-252 貼片MOS管絲印 低壓MOS選型



國產(chǎn)P型MOS管 13P06的特點:

  • VDS=-60V

  • ID=-13.5A

  • RDS(ON)<90mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



國產(chǎn)P型MOS管 13P06的用途:

  • 無刷馬達

  • 負載開關

  • UPS不間斷電源



國產(chǎn)P型MOS管 13P06的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:-13.5A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:-26A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:29.8mJ

  • 雪崩電流 IAS:-24.4A

  • 總耗散功率 PD:31.3W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:4℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



國產(chǎn)P型MOS管 13P06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-60

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-3A


8090
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-2A


100115
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.75-2.5V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
gfs正向跨導
8.5
S
Qg柵極電荷
12.1
nC
Qgs柵源電荷密度

2.2
Qgd柵漏電荷密度
6.3
Ciss輸入電容
1137
pF
Coss輸出電容
76
Crss反向傳輸電容
50
td(on)開啟延遲時間
9.2
ns
tr開啟上升時間
20.1
td(off)關斷延遲時間
46.7
tf
開啟下降時間
9.4


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