100V 常用場效應(yīng)管 50N10 TO-220 負(fù)載開關(guān)MOS管 大芯片 MOS管引腳圖
常用場效應(yīng)管 50N10的特點：
VDS=100V
ID=50A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V
封裝：TO-220
常用場效應(yīng)管 50N10的應(yīng)用：
電池保護
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
常用場效應(yīng)管 50N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 50 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 130 | |
| PD | 總耗散功率 | 149 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 84 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 41 | A |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.84 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
常用場效應(yīng)管 50N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 22 | mΩ | ||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2.5 | 4.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 31 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 27.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 11.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1890 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 268 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 67 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 16.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 35 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 17.5 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 12 |
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