國產(chǎn) 50A 低壓N溝道MOS 大功率場效應(yīng)管 50N10 TO-252
大功率場效應(yīng)管 50N10的特點：
VDS=100V
ID=50A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V
封裝：TO-252
大功率場效應(yīng)管 50N10的用途：
電池保護
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
大功率場效應(yīng)管 50N10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù)ID：50A
漏極電流-脈沖 IDM：70A
單脈沖雪崩能量 EAS：256mJ
總耗散功率 PD：85W
存儲溫度 TSTG：-55~175℃
工作溫度 TJ：-55~175℃
大功率場效應(yīng)管 50N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 24 | 28 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 28 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 3 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 15 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 39 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 12 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 300 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 250 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 7 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 29 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7 |
大功率場效應(yīng)管 50N10的封裝外形尺寸圖：
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