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產(chǎn)品分類

Product Categories
N溝道插件MOS 30N10 TO-220
N溝道插件MOS 30N10 TO-220
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：30N10
產(chǎn)品封裝：TO-220
產(chǎn)品標題：N溝道插件MOS 30N10 TO-220 功率場效應(yīng)管 MOS管30N10 LED用
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


N溝道插件MOS 30N10 TO-220 功率場效應(yīng)管 MOS管30N10 LED用



N溝道插件MOS 30N10的用途：

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



N溝道插件MOS 30N10的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù)ID：30A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：72A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：126mJ

  • 雪崩電流 IAS：13A

  • 總耗散功率 PD：125W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~175℃

  • 工作溫度 TJ：-55~175℃



N溝道插件MOS 30N10的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=16A


3640mΩ
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=10A



50
VGS(th)
柵極開啟電壓1.5
2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
30
S
Qg柵極電荷
45.6
nC
Qgs柵源電荷密度

6.7
Qgd柵漏電荷密度
11.8
Ciss輸入電容
2270
pF
Coss輸出電容
130
Crss反向傳輸電容
90
td(on)開啟延遲時間
12
ns
tr開啟上升時間

32.2


td(off)關(guān)斷延遲時間
42
tf
開啟下降時間
13.4


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