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產(chǎn)品分類(lèi)

Product Categories
100V/25A 55mΩ N型MOS管 25N10 SOP8
100V/25A 55mΩ N型MOS管 25N10 SOP8
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類(lèi)型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):25N10
產(chǎn)品封裝:SOP8
產(chǎn)品標(biāo)題:100V/25A 55mΩ N型MOS管 25N10 SOP8 同步整流MOS 國(guó)產(chǎn)大芯片 場(chǎng)效應(yīng)管
咨詢(xún)熱線(xiàn):0769-89027776

產(chǎn)品詳情


100V/25A 55mΩ N型MOS管 25N10 SOP8 同步整流MOS 國(guó)產(chǎn)大芯片 場(chǎng)效應(yīng)管



N型MOS管 25N10的產(chǎn)品應(yīng)用:

  • 消費(fèi)電子電源電機(jī)控制

  • 同步整流

  • 同步整流應(yīng)用



N型MOS管 25N10的產(chǎn)品特點(diǎn):

  • VDS=100V

  • ID=25A

  • RDS(ON)<55mΩ@VGS=10V

  • 封裝:SOP-8



N型MOS管 25N10的極限參數(shù):

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:100V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù)ID:25A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:60A

  • 總耗散功率 PD:44.6W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作溫度 TJ:-55~150℃



N型MOS管 25N10的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=12A



55
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=5V,ID=8A



85
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓0.9
2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
13.521.6nC
Qgs柵源電荷密度

3
Qgd柵漏電荷密度
9
Ciss輸入電容
8401340pF
Coss輸出電容
115
Crss反向傳輸電容
80
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
6.5
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間

18


td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
20
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
5


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