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產(chǎn)品分類

Product Categories
國(guó)產(chǎn) 100VNMOS管 3N10 SOT-23
國(guó)產(chǎn) 100VNMOS管 3N10 SOT-23
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):3N10
產(chǎn)品封裝:SOT-23
產(chǎn)品標(biāo)題:國(guó)產(chǎn) 100VNMOS管 3N10 SOT-23 電源用小MOS 場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用領(lǐng)域
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國(guó)產(chǎn) 100VNMOS管 3N10 SOT-23 電源用小MOS 場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用領(lǐng)域



電源用小MOS 3N10的特點(diǎn):

  • VDS=100V

  • ID=2.8A

  • RDS(ON)<320mΩ@VGS=10V

  • 封裝:SOT-23



電源用小MOS 3N10的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



電源用小MOS 3N10的極限參數(shù):

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓100
V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TA=25℃)2.8A
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃)1
IDM漏極電流-脈沖5
PD總耗散功率 TA=25℃1W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻125℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻80
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



電源用小MOS 3N10的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=1A


260310
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=0.5A


270320
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
9.713.6nC
Qgs柵源電荷密度

1.62.2
Qgd柵漏電荷密度
1.72.4
Ciss輸入電容
508711pF
Coss輸出電容
2941
Crss反向傳輸電容
16.423
td(on)開啟延遲時(shí)間
1.63.2ns
tr開啟上升時(shí)間
1934
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
13.627
tf
開啟下降時(shí)間
1938

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