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產(chǎn)品分類

Product Categories
120A場效應(yīng)管 120N08 TO-263
120A場效應(yīng)管 120N08 TO-263
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:120N08
產(chǎn)品封裝:TO-263
產(chǎn)品標題:電源應(yīng)用MOS管 120A場效應(yīng)管 120N08 TO-263 國產(chǎn)大芯片MOS
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


電源應(yīng)用MOS管 120A場效應(yīng)管 120N08 TO-263 國產(chǎn)大芯片MOS



電源應(yīng)用MOS管 120N08的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



電源應(yīng)用MOS管 120N08的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓85V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)120A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)100
IDM漏極電流-脈沖480
PD總耗散功率 TC=25℃220W
EAS單脈沖雪崩能量560mJ
IAS
雪崩電流53.4A
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



電源應(yīng)用MOS管 120N08的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓8592
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃


4.55.2
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

100nA
Qg柵極電荷
65.7
nC
Qgs柵源電荷密度

24.9
Qgd柵漏電荷密度
13.9
Ciss輸入電容
4032
pF
Coss輸出電容
546
Crss反向傳輸電容
35
td(on)開啟延遲時間
20.1
ns
tr開啟上升時間
38
td(off)關(guān)斷延遲時間
45.1
tf
開啟下降時間
21



電源應(yīng)用MOS管 120N08的封裝外形尺寸圖:

image.png


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