國產(chǎn)低壓MOS 80V/80A 家電用場效應(yīng)管 大電流N型MOS 80N08 TO-252
大電流N型MOS 80N08的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=80V
ID=80A
RDS(ON)＜6.5mΩ@VGS=10V
封裝：TO-252
大電流N型MOS 80N08的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
大電流N型MOS 80N08的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 80 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 42.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 170 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 56 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 57.8 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 34 | A |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.2 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 |
大電流N型MOS 80N08的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 80 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 4.8 | 6.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 6.3 | 8.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 7.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2860 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 410 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 8.3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 4.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 36 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 6.9 |
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