同步整流應用MOS 70N08 TO-220 插件場效應管 70A/80V 低壓MOSFET
低壓MOSFET 70N08的特點：
低內(nèi)阻
極低的開關(guān)損耗
封裝：TO-220
低壓MOSFET 70N08的應用領(lǐng)域：
消費電子電源電機控制
同步整流
同步整流應用程序
低壓MOSFET 70N08的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 80 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 70 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 55 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 300 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 160 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 550 | mJ |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.94 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 63 |
低壓MOSFET 70N08的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 80 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=40A | 8.5 | 10 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 94 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 24 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 290 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 221 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 11 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 52 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 13 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
