硬開(kāi)關(guān)用NMOS 80N07 TO-263 MOS管封裝絲印 國(guó)產(chǎn)低壓場(chǎng)效應(yīng)管
硬開(kāi)關(guān)用NMOS 80N07的特點(diǎn)：
VDS=72V
ID=80A
RDS(ON)＜6.8mΩ@VGS=10V
封裝：TO-263
硬開(kāi)關(guān)用NMOS 80N07的用途：
功率切換應(yīng)用程序
硬開(kāi)關(guān)和高頻電路
UPS不間斷電源
硬開(kāi)關(guān)用NMOS 80N07的極限參數(shù)：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 72 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 76 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 310 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 400 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 181 | W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 |
硬開(kāi)關(guān)用NMOS 80N07的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 72 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 7.2 | 8 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| Qg | 柵極電荷 | 90 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 18 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 28 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3150 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 300 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 240 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 18.2 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 15.6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 70.5 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 13.8 |
硬開(kāi)關(guān)用NMOS 80N07的封裝外形尺寸圖：
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