手機(jī)快充PMOS管 30P06 TO-252 MOSFET選型 功率MOS參數(shù)
MOSFET選型 30P06的特點(diǎn)：
VDS=-60V
ID=-30A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V
封裝：TO-252
MOSFET選型 30P06的用途：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
MOSFET選型 30P06的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-60V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-30A
漏極電流-脈沖 IDM：-70A
單脈沖雪崩能量 EAS：113mJ
雪崩電流 IAS：47.6A
總耗散功率 PD：52.1W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.4℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
MOSFET選型 30P06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -60 | -68 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 21 | 25 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 26 | 33 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3635 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 224 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 141 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 38 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 23.6 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 100 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 6.8 |
MOSFET選型 30P06的封裝外形尺寸圖：
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