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產(chǎn)品分類

Product Categories
7mΩ 大電流場效應(yīng)管 90N06 TO-252
7mΩ 大電流場效應(yīng)管 90N06 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:90N06
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:國產(chǎn) 7mΩ 大電流場效應(yīng)管 90N06 TO-252 開關(guān)用MOS MOSFET引腳
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國產(chǎn) 7mΩ 大電流場效應(yīng)管 90N06 TO-252 開關(guān)用MOS MOSFET引腳



開關(guān)用MOS 90N06的特點(diǎn):

  • VDS=60V

  • ID=90A

  • RDS(ON)<7mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



開關(guān)用MOS 90N06的用途:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



開關(guān)用MOS 90N06的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:90A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:320A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:205.4mJ

  • 總耗散功率 PD:108W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:1.4℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃



開關(guān)用MOS 90N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6064
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


5.87
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
IDSS零柵壓漏極電流


1μA
Qg柵極電荷
90
nC
Qgs柵源電荷密度

9
Qgd柵漏電荷密度
18
Ciss輸入電容
4136
pF
Coss輸出電容
286
Crss反向傳輸電容
257
td(on)開啟延遲時間
9
ns
tr開啟上升時間
7
td(off)關(guān)斷延遲時間
40
tf
開啟下降時間
15


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