同步整流MOS管 80N06 TO-263 國產(chǎn)貼片MOS 60V/80A 國產(chǎn)大芯片
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的特點(diǎn)：
VDS=60V
ID=80A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
封裝：TO-263
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的用途：
消費(fèi)電子電源電機(jī)控制
同步整流
同步整流應(yīng)用
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的極限值：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 43 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 272 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 104 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.3 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 |
國產(chǎn)貼片MOS 80N06的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=45A | 7.2 | 12 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=30A | 8.3 | 15 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.4 | 3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 33 | 45 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 21 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2680 | 3300 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 260 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 180 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 43 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 47 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 80 |
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