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產(chǎn)品分類

Product Categories
常用60V場效應管 80N06 PDN5X6-8L
常用60V場效應管 80N06 PDN5X6-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:80N06
產(chǎn)品封裝:PDN5X6-8L
產(chǎn)品標題:國產(chǎn)替代 手機快充MOS管 常用60V場效應管 80N06 PDN5X6-8L
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國產(chǎn)替代 手機快充MOS管 常用60V場效應管 80N06 PDN5X6-8L



手機快充MOS管 80N06的引腳圖:

image.png



手機快充MOS管 80N06的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關

  • UPS不間斷電源



手機快充MOS管 80N06的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TJ=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:60V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID:80A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:210A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:66mJ

  • 總耗散功率 PD:87W

  • 結到環(huán)境的熱阻 RθJA:62℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1.44℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



手機快充MOS管 80N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓60

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


4.76
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


6.410
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
IDSS零柵壓漏極電流


1μA
Qg柵極電荷
30
nC
Qgs柵源電荷密度

5.8
Qgd柵漏電荷密度
6.1
Ciss輸入電容
2136
pF
Coss輸出電容
331.5
Crss反向傳輸電容
10.6
td(on)開啟延遲時間
22.9
ns
tr開啟上升時間
6.5
td(off)關斷延遲時間
45.7
tf
開啟下降時間
20.4


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