60V功率MOS 80N06 TO-252 10mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)用MOS 低壓場(chǎng)效應(yīng)管
60V功率MOS 80N06的特點(diǎn)：
VDS=60V
ID=80A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V
封裝：TO-252
60V功率MOS 80N06的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS不間斷電源
60V功率MOS 80N06的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 60 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 80 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 180 | |
| PD | 總耗散功率 | 125 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 30 | mJ |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 |
60V功率MOS 80N06的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 60 | 71 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 8 | 10 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10 | 13 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 2 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | μA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 18.4 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1182.1 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 199.5 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4.1 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 17.9 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 4 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 34.9 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 5.5 |
60V功率MOS 80N06的封裝外形尺寸圖：
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
