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產(chǎn)品分類

Product Categories
低壓貼片MOS 10N06 SOP8
低壓貼片MOS 10N06 SOP8
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:10N06
產(chǎn)品封裝:SOP8
產(chǎn)品標題:低壓貼片MOS 10N06 SOP8 場效應管應用領域 照明用MOS管 國產(chǎn)大芯
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低壓貼片MOS 10N06 SOP8 場效應管應用領域 照明用MOS管 國產(chǎn)大芯



低壓貼片MOS 10N06的特點:

  • VDS=60V

  • ID=10A

  • RDS(ON)<30mΩ@VGS=10V

  • 封裝:SOP-8



低壓貼片MOS 10N06的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關

  • UPS不間斷電源



低壓貼片MOS 10N06的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓60V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TA=25℃10A
漏極電流-連續(xù) TA=70℃3.8
IDM漏極電流-脈沖20
PD總耗散功率 TA=25℃1.5W
RθJA結到環(huán)境的熱阻85℃/W
RθJC結到管殼的熱阻36
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



低壓貼片MOS 10N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓60

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=4A


2830
靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=2A


3238
VGS(th)
柵極開啟電壓1.2
2.5V
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
12.6
nC
Qgs柵源電荷密度

3.2
Qgd柵漏電荷密度
6.3
Ciss輸入電容
1378
pF
Coss輸出電容
86
Crss反向傳輸電容
64
td(on)開啟延遲時間
8
ns
tr開啟上升時間
14.2
td(off)關斷延遲時間
24.4
tf
開啟下降時間
4.6



低壓貼片MOS 10N06的參數(shù)特性曲線圖:

image.png


image.png



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