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產(chǎn)品分類

Product Categories
P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04 TO-252
P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):30P04
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:國(guó)內(nèi)封裝MOS 電源管理用 P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04 TO-252 MOS管品牌
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國(guó)內(nèi)封裝MOS 電源管理用 P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04 TO-252 MOS管品牌



P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04的特點(diǎn):

  • VDS=-40V

  • ID=-30A

  • RDS(ON)<13mΩ@VGS=-10V

  • 封裝:TO-252



P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04的用途:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • UPS不間斷電源



P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04的符號(hào)圖:

image.png



P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04的極限參數(shù):

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃-30A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃-21
IDM漏極電流-脈沖-90
EAS單脈沖雪崩能量109mJ
IAS雪崩電流-30A
PD總耗散功率 TC=25℃35W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻3.6
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40-47
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-8A


2632

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-4A


3946
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.5
nC
Qgs柵源電荷密度
3.5
Qgd柵漏電荷密度
3.3
Ciss輸入電容
1415
pF
Coss輸出電容
134
Crss反向傳輸電容
102
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
22
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間
15.7
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
59
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
5.5



P型場(chǎng)效應(yīng)管 30P04的封裝外形尺寸圖:

image.png


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