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增強型PMOS 10P04 TO-252 場效應(yīng)管引腳圖 -40V/-10A 低壓MOSFET

增強型PMOS 10P04的產(chǎn)品特點：

• V_DS=-40V

• I_D=-10A

• R_DS(ON)＜65mΩ@V_GS=-10V

• 封裝：TO-252
  

增強型PMOS 10P04的用途：

• 電池保護

• 負載開關(guān)

• UPS不間斷電源

增強型PMOS 10P04的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-40V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：-10A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：-32A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：21mJ

• 雪崩電流 I_AS：-20.5A

• 總耗散功率 P_D：25W

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：62℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：5℃/W

• 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

增強型PMOS 10P04的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)