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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片小電流PMOS 8P04 SOP-8
貼片小電流PMOS 8P04 SOP-8
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:8P04
產(chǎn)品封裝:SOP-8
產(chǎn)品標題:國產(chǎn) 貼片小電流PMOS 8P04 SOP-8 手機快充MOS 場效應(yīng)管價格
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國產(chǎn) 貼片小電流PMOS 8P04 SOP-8 手機快充MOS 場效應(yīng)管價格



手機快充MOS 8P04的管腳圖:

image.png



手機快充MOS 8P04的用途:

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



手機快充MOS 8P04的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TA=25℃)-8A
漏極電流-連續(xù)(TA=70℃)-6.9
IDM漏極電流-脈沖-32
EAS單脈沖雪崩能量
41mJ
IAS
雪崩電流-28.6A
PD總耗散功率(TA=25℃)2.5W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻50℃/W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



手機快充MOS 8P04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-5A



32

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-4A



46
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2
-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.5
nC
Qgs柵源電荷密度
3.5
Qgd柵漏電荷密度
3.3
Ciss輸入電容
1415
pF
Coss輸出電容
134
Crss反向傳輸電容
102
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間
15.7
td(off)關(guān)斷延遲時間
59
tf
開啟下降時間
5.5


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