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國產(chǎn)大電流NMOS 120N04 TO-220 負載用MOSFET 足芯片場效應(yīng)管

負載用MOSFET 120N04的用途：

• 電池保護

• 負載開關(guān)

• 不間斷電源
  

負載用MOSFET 120N04的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：40V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：120A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：600A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：272mJ

• 雪崩電流 I_AS：33A

• 總耗散功率 P_D：180W

• 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJA：50℃/W

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJC：0.7℃/W

負載用MOSFET 120N04的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)