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產(chǎn)品分類

Product Categories
大電流MOS 120N04 TO-252
大電流MOS 120N04 TO-252
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：120N04
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：大電流MOS 120N04 TO-252 貼片MOS LED用場效應(yīng)管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


大電流MOS 120N04 TO-252 貼片MOS LED用場效應(yīng)管



大電流MOS 120N04的用途：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS不間斷電源



大電流MOS 120N04的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：40V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：120A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：360A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：145mJ

  • 雪崩電流 IAS：57A

  • 總耗散功率 PD：22W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJA：55℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJC：1.7℃/W



大電流MOS 120N04的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=20A


2.53.2mΩ

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


3.85.3
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.72.2V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
22.7
nC
Qgs柵源電荷密度
7.5
Qgd柵漏電荷密度
5.5
Ciss輸入電容
2648
pF
Coss輸出電容
899
Crss反向傳輸電容
71
td(on)開啟延遲時(shí)間
10
ns
tr開啟上升時(shí)間
5
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
33
tf
開啟下降時(shí)間
6.5


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