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40VN型MOSFET 50N04 TO-252 17mΩ低內(nèi)阻MOS 電源用 足芯片

40VN型MOSFET 50N04的應(yīng)用領(lǐng)域：

• 電池保護(hù)

• 負(fù)載開關(guān)

• UPS不間斷電源

40VN型MOSFET 50N04的特點(diǎn)：

• V_DS=40V

• I_D=50A

• R_DS(ON)＜17mΩ@V_GS=10V

• 封裝：TO-252
  

40VN型MOSFET 50N04的極限參數(shù)：

(如無(wú)特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：40V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：50A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：85A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：31.3mJ

• 雪崩電流 I_AS：25A

• 總耗散功率 P_D：31.3W

• 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：65℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：3℃/W

40VN型MOSFET 50N04的電特性：

(如無(wú)特殊說明，T_C=25℃)