40V功率MOS 10N04 SOP-8 電源用場效應(yīng)管 國產(chǎn)MOSFET選型
40V功率MOS 10N04的管腳圖：
40V功率MOS 10N04的用途：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
40V功率MOS 10N04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 10 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | 6.7 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 50 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 31 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 25 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.9 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 65 | ℃/W |
40V功率MOS 10N04的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=7A | 14.5 | 17 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 18 | 22 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.9 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1013 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 107 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 76 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 2.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 40.4 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 22.8 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 6.4 |
40V功率MOS 10N04的封裝外形尺寸：
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