鋰電保護(hù)低壓MOS管 4435B SOP-8 -9.3A場(chǎng)效應(yīng)管 P型MOS
P型MOS 4435B的管腳圖：
P型MOS 4435B的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)
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P型MOS 4435B的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | -9.3 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | -7 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -50 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 3.1 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 33.8 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 24 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
P型MOS 4435B的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 16 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 25 | 30 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1550 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 327 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 278 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 20 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 95 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 65 |
P型MOS 4435B的參數(shù)特性曲線圖：
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