貼片100V場效應(yīng)管 5N10 SOT89-3L 手機(jī)快充用MOS管 MOS管5N10
手機(jī)快充用MOS管 5N10的引腳圖：
手機(jī)快充用MOS管 5N10的特點：
VDS=100V
ID=5A
RDS(ON)＜110mΩ@VGS=10V
封裝：SOT89-3L
手機(jī)快充用MOS管 5N10的用途：
鋰電充電
手機(jī)快充
手機(jī)快充用MOS管 5N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 5 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 3.6 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 15 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 3.5 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 40 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
手機(jī)快充用MOS管 5N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=3A | 88 | 110 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=2A | 95 | 125 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 25.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 677 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 46 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 32 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 17.3 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 2.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 50 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 2.8 |
手機(jī)快充用MOS管 5N10的封裝外形尺寸圖：
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