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產(chǎn)品分類

Product Categories
負載開關用NMOS 5N10 SOT-23-3L
負載開關用NMOS 5N10 SOT-23-3L
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：5N10
產(chǎn)品封裝：SOT-23-3L
產(chǎn)品標題：負載開關用NMOS 5N10 SOT-23-3L 國產(chǎn)5A/100V 大功率MOSFET
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


負載開關用NMOS 5N10 SOT-23-3L 國產(chǎn)5A/100V 大功率MOSFET



負載開關用NMOS 5N10的特點：

  • VDS=100V

  • ID=5A

  • RDS(ON)＜125mΩ@VGS=10V

  • 封裝：SOT-23-3L



負載開關用NMOS 5N10的用途：

  • 鋰電保護

  • 負載開關

  • 不間斷電源



負載開關用NMOS 5N10的管腳圖：

blob.png



負載開關用NMOS 5N10的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：5A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：20A

  • 總耗散功率 PD：1.5W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結溫 TJ：-55~150℃



負載開關用NMOS 5N10的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓100107
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=10A


105125mΩ

靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=8A


125135
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流



1uA
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
12
nC
Qgs柵源電荷密度
2.2
Qgd柵漏電荷密度
2.5
Ciss輸入電容
610
pF
Coss輸出電容
40
Crss反向傳輸電容
25
td(on)開啟延遲時間
7
ns
tr開啟上升時間
5
td(off)關斷延遲時間
16
tf
開啟下降時間
6



負載開關用NMOS 5N10的封裝外形尺寸圖：

blob.png


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