P型低內(nèi)阻MOSFET 100P03 TO-252 手機(jī)快充用MOS 場效應(yīng)管100P03
手機(jī)快充用MOS 100P03的特點(diǎn)：
VDS=-30V
ID=-100A
RDS(ON)＜6.4mΩ@VGS=-10V
封裝：TO-252
手機(jī)快充用MOS 100P03的應(yīng)用：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
手機(jī)快充用MOS 100P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | -100 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -360 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 210 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -50 | A |
| PD | 總耗散功率 | 109 | W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.4 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 |
手機(jī)快充用MOS 100P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 4.9 | 6.4 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 7.5 | 10.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | -1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 6800 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 769 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 726 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 11 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 52 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 21 |
手機(jī)快充用MOS 100P03的封裝外形尺寸圖：
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