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產(chǎn)品分類

Product Categories
-30VP溝道場效應(yīng)管 70P03 TO-252
-30VP溝道場效應(yīng)管 70P03 TO-252
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：70P03
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：-30VP溝道場效應(yīng)管 70P03 TO-252 開關(guān)用 國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


-30VP溝道場效應(yīng)管 70P03 TO-252 開關(guān)用 國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管



國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 70P03的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源



國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 70P03的極限參數(shù)：

(如無特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：-30V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：-70A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：-200A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：80mJ

  • 雪崩電流 IAS：-40A

  • 總耗散功率 PD：90W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：20℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.6℃/W

  • 存儲溫度 TSTG：-55~175℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃



國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 70P03的電特性：

(如無特殊說明，TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-20A


67.2mΩ

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


9.512
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2
-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
60
nC
Qgs柵源電荷密度
9
Qgd柵漏電荷密度
15
Ciss輸入電容
3450
pF
Coss輸出電容
255
Crss反向傳輸電容
140
td(on)開啟延遲時間
17
ns
tr開啟上升時間
40
td(off)關(guān)斷延遲時間
55
tf
開啟下降時間
13



國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 70P03的封裝外形尺寸圖：

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