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產(chǎn)品分類

Product Categories
宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L
宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:60P03
產(chǎn)品封裝:PDFN3X3-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L 鋰電保護(hù)MOS管 場效應(yīng)管60P03
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


宇芯微 -30VPMOSFET 60P03 PDFN3X3-8L 鋰電保護(hù)MOS管 場效應(yīng)管60P03



鋰電保護(hù)MOS管 60P03的管腳圖:

blob.png



鋰電保護(hù)MOS管 60P03的特點(diǎn):

  • VDS=-30V

  • ID=-60A

  • RDS(ON)<8mΩ@VGS=-10V

  • 封裝:PDFN3X3-8L



鋰電保護(hù)MOS管 60P03的應(yīng)用:

  • 鋰電池充電

  • 手機(jī)快充



鋰電保護(hù)MOS管 60P03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)-60A
IDM漏極電流-脈沖-200
EAS單脈沖雪崩能量125mJ
IAS雪崩電流-50A
PD總耗散功率38W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻65℃/W
RθJC結(jié)到管殼的熱阻3.3
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



鋰電保護(hù)MOS管 60P03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-32
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-10V,ID=-10A


6.88

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


9.313
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導(dǎo)
25
S
Qg柵極電荷
30
nC
Qgs柵源電荷密度
10
Qgd柵漏電荷密度
10.4
Ciss輸入電容
3448
pF
Coss輸出電容
508
Crss反向傳輸電容
421
td(on)開啟延遲時(shí)間
9.4
ns
tr開啟上升時(shí)間
10.2
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
117
tf
開啟下降時(shí)間
24



鋰電保護(hù)MOS管 60P03的特性曲線圖:

blob.png


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