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產(chǎn)品分類

Product Categories
P型貼片MOS管 60P03 TO-252
P型貼片MOS管 60P03 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:60P03
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標題:P型貼片MOS管 60P03 TO-252 低內阻MOSFET 場效應管絲印
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


P型貼片MOS管 60P03 TO-252 低內阻MOSFET 場效應管絲印



P型貼片MOS管 60P03的特點:

  • VDS=-30V

  • ID=-60A

  • RDS(ON)<13mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



P型貼片MOS管 60P03的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關

  • 不間斷電源



P型貼片MOS管 60P03的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)-60A
IDM漏極電流-脈沖-150
EAS單脈沖雪崩能量125mJ
IAS雪崩電流-50A
PD總耗散功率45W
RθJA結到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC結到管殼的熱阻2.8
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



P型貼片MOS管 60P03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-32
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-30A


913

靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


1318
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
30
S
Qg柵極電荷
22
nC
Qgs柵源電荷密度
8.7
Qgd柵漏電荷密度
7.2
Ciss輸入電容
2215
pF
Coss輸出電容
310
Crss反向傳輸電容
237
td(on)開啟延遲時間
8
ns
tr開啟上升時間
73.7
td(off)關斷延遲時間
61.8
tf
開啟下降時間
24.4



P型貼片MOS管 60P03的封裝外形尺寸尺寸圖:

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