-30V/-40A 國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 40P03 PDFN3X3-8L 大芯片場效應(yīng)管
國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 40P03的管腳配置圖：
國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 40P03的特點：
VDS=-30V
ID=-40A
RDS(ON)＜16mΩ@VGS=-10V
封裝：PDFN3X3-8L
國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 40P03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電池保護(hù)
手機(jī)快充
國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 40P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-40A
漏極電流-脈沖 IDM：-120A
單脈沖雪崩能量 EAS：68mJ
雪崩能量 IAS：-29.4A
總耗散功率 PD：3.1W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：75℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：24℃/W
國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 40P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -32.5 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 10.5 | 16 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 16 | 20 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2130 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 280 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 252 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 48 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 20 |
國產(chǎn)低內(nèi)阻MOS管 40P03的封裝外形尺寸圖：
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
