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常用低壓MOS管 30P03 PDFN3X3-8L
常用低壓MOS管 30P03 PDFN3X3-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:30P03
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:常用低壓MOS管 30P03 PDFN3X3-8L 手機快充MOS MOS管30P03
咨詢熱線:0769-89027776

產品詳情


常用低壓MOS管 30P03 PDFN3X3-8L 手機快充MOS MOS管30P03



手機快充MOS 30P03的引腳圖:

blob.png



手機快充MOS 30P03的特點:

  • VDS=-30V

  • ID=-30A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V

  • 封裝:PDFN3X3-8L



手機快充MOS 30P03的應用:

  • 鋰電池保護

  • 手機快充



手機快充MOS 30P03的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-30V
VGS柵極-源極電壓±25
ID漏極電流-連續(xù)-32A
IDM漏極電流-脈沖-65
EAS單脈沖雪崩能量72.2mJ
IAS雪崩電流-38A
PD總耗散功率29W
RθJA結到環(huán)境的熱阻75℃/W
RθJC結到管殼的熱阻4.32
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



手機快充MOS 30P03的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-10A


15.518

靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-5A


20.528
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.4-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
gfs正向跨導
19
S
Qg柵極電荷
12.5
nC
Qgs柵源電荷密度
5.4
Qgd柵漏電荷密度
5
Ciss輸入電容
1345
pF
Coss輸出電容
194
Crss反向傳輸電容
158
td(on)開啟延遲時間
4.4
ns
tr開啟上升時間
11.2
td(off)關斷延遲時間
34
tf
開啟下降時間
18



手機快充MOS 30P03的封裝外形尺寸圖:

blob.png


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