國(guó)產(chǎn)-12V場(chǎng)效應(yīng)管 2313 SOT-23-3L 貼片PMOS 手機(jī)快充MOS管
國(guó)產(chǎn)-12V場(chǎng)效應(yīng)管 2313的特點(diǎn)：
VDS=-12V
ID=-8A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=4.5V
封裝：SOT-23-3L
國(guó)產(chǎn)-12V場(chǎng)效應(yīng)管 2313的應(yīng)用領(lǐng)域：
手機(jī)快充
鋰電池保護(hù)
國(guó)產(chǎn)-12V場(chǎng)效應(yīng)管 2313的管腳排列圖：
國(guó)產(chǎn)-12V場(chǎng)效應(yīng)管 2313的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-12V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：-8A
漏極電流-脈沖 IDM：-40A
總耗散功率 PD：1W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：125℃/W
國(guó)產(chǎn)-12V場(chǎng)效應(yīng)管 2313的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -12 | -16 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 16 | 20 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-5A | 20 | 25 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -0.4 | -0.7 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 35 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 10 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2700 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 680 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 590 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 11 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 35 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 30 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 10 |
國(guó)產(chǎn)-12V場(chǎng)效應(yīng)管 2313的封裝外形尺寸圖：
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