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產(chǎn)品分類

Product Categories
國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01 SOT-23-3L
國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01 SOT-23-3L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):8P01
產(chǎn)品封裝:SOT-23-3L
產(chǎn)品標(biāo)題:國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01 SOT-23-3L 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào) MOS管8P01
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01 SOT-23-3L 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào) MOS管8P01



國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01的管腳圖:

blob.png



國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01的應(yīng)用:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • 不間斷電源



國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TA=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-18V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續(xù)-8A
IDM漏極電流-脈沖-32
PD總耗散功率1.2W
TJ,TSTG
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度-55~150



國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TA=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-15-18
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


15.418

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-2.5V,ID=-6A


20.728
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓-0.4-0.68-1.2V
IDSS

零柵壓漏極電流



-1μA
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
35
nC
Qgs柵源電荷密度
5
Qgd柵漏電荷密度
10
Ciss輸入電容
2700
pF
Coss輸出電容
680
Crss反向傳輸電容
590
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
11
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間
35
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
30
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
10



國(guó)產(chǎn)PMOS替換 8P01的封裝外形尺寸:

blob.png


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