20VN型MOS管 2320 SOT-23-3L MOS管封裝排列 功率場效應(yīng)管
MOS管封裝排列 2320的管腳圖：
MOS管封裝排列 2320的特點(diǎn)：
VDS=20V
ID=8A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=4.5V
封裝：SOT-23-3L
MOS管封裝排列 2320的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：8A
漏極電流-脈沖 IDM：75A
總耗散功率 PD：12W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：3.8℃/W
MOS管封裝排列 2320的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 8.5 | 12 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=3A | 1 | 15 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.65 | 1.2 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 15 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 625 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 162 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 105 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 4.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 9.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 18.7 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 3.3 |
MOS管封裝排列 2320的封裝外形尺寸圖：
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