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產(chǎn)品分類

Product Categories
低內(nèi)阻MOS管 3415 SOT-23
低內(nèi)阻MOS管 3415 SOT-23
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:3415
產(chǎn)品封裝:SOT-23
產(chǎn)品標(biāo)題:低內(nèi)阻MOS管 3415 SOT-23 功率器件PMOS MOS管3415
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


低內(nèi)阻MOS管 3415 SOT-23 功率器件PMOS MOS管3415



低內(nèi)阻MOS管 3415的特點:

  • VDS=-20V

  • ID=-4.2A

  • RDS(ON)<37mΩ@VGS=-4.5V

  • 轉(zhuǎn)為PWM、負載開關(guān)和通用應(yīng)用而設(shè)計

  • 低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷



低內(nèi)阻MOS管 3415的引腳排列圖:

blob.png



低內(nèi)阻MOS管 3415的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓-20V
VGS柵極-源極電壓±8
ID漏極電流-連續(xù) TC=25℃-4.2A
漏極電流-連續(xù) TC=70℃-2.4
IDM漏極電流-脈沖-30
PD總耗散功率 TC=25℃1.4W
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻90℃/W
TSTG
存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150



低內(nèi)阻MOS管 3415的電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-4.5V,ID=-4A


3743

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-2.5V,ID=-4A


4554

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=-1.8V,ID=-2A


5673
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.3
-1V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=-16V,VGS=0V



-1uA

零柵壓漏極電流

TJ=125℃



-50
IGSS

柵極漏電

VGS=±8V



±10nA
Qg柵極電荷
10
nC
Qgs柵源電荷密度

0.77


Qgd柵漏電荷密度
3.5
Ciss輸入電容
939
pF
Coss輸出電容
130
Crss反向傳輸電容
111
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間
8.6
td(off)關(guān)斷延遲時間
29
tf
開啟下降時間
13



低內(nèi)阻MOS管 3415的封裝外形尺寸圖:

blob.png


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