P型小電壓MOS 70P02 PDFN5X6-8L -15V/70A 國產(chǎn)場效應(yīng)管 MOSFET選型
P型小電壓MOS 70P02的管腳圖：
P型小電壓MOS 70P02的應(yīng)用：
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P型小電壓MOS 70P02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -15 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -70 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -54 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -360 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 41.67 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
P型小電壓MOS 70P02的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -15 | -18.5 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 2.7 | 3.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-20A | 3.8 | 5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±500 | nA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 30 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 149 | 225 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 14.4 | 22 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 42.8 | 65 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 12000 | 16000 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 1670 | 2500 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 730 | 1100 | ||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 21.2 | 42 | ns | |
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 20.6 | 40 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 26 | 52 | ||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 400 | 600 |
P型小電壓MOS 70P02的參數(shù)特性曲線圖：
P型小電壓MOS 70P02的封裝外形尺寸：
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