MOS管20P02 貼片國產(chǎn)PMOS 20P02 TO-252 -20V/-20A 電池保護(hù)MOSFET
貼片國產(chǎn)PMOS 20P02的管腳圖：
貼片國產(chǎn)PMOS 20P02的應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
貼片國產(chǎn)PMOS 20P02的特點：
VDS=-20V
ID=-20A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-4.5V
封裝：TO-252
貼片國產(chǎn)PMOS 20P02的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | -20 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=70℃ | -12 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -60 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 39 | W |
| 總耗散功率 TC=70℃ | 20 | ||
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 65 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.2 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
貼片國產(chǎn)PMOS 20P02的電特性：
(如無特殊說明，TA=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 15 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-3A | 17 | 25 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -0.7 | -1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V | -1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 35 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 10 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2700 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 680 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 590 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 11 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 35 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 30 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 10 |
貼片國產(chǎn)PMOS 20P02的封裝外形尺寸圖：
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