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產(chǎn)品分類

Product Categories
國產(chǎn)場效應管 150N03 TO-252
國產(chǎn)場效應管 150N03 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:150N03
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標題:國產(chǎn)場效應管 150N03 TO-252 30V/150A MOS管主要參數(shù) MOSFET大全
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國產(chǎn)場效應管 150N03 TO-252 30V/150A MOS管主要參數(shù) MOSFET大全



國產(chǎn)場效應管 150N03的管腳圖:

blob.png   blob.png



國產(chǎn)場效應管 150N03的應用領(lǐng)域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • 不間斷電源



國產(chǎn)場效應管 150N03的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)155A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)110
IDM漏極電流-脈沖310
EAS單脈沖雪崩能量246mJ
IAS雪崩電流70.2A
PD總耗散功率 TC=25℃89.3W
TSTG存儲溫度-55~175
TJ工作結(jié)溫-55~175
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻1.4



國產(chǎn)場效應管 150N03的電特性:

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


2.23

靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


3.24
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



2uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



10
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
56.9
nC
Qgs柵源電荷密度
13.8
Qgd柵漏電荷密度
23.5
Ciss輸入電容
5935
pF
Coss輸出電容
725
Crss反向傳輸電容
538
td(on)開啟延遲時間
20.1
ns
tr開啟上升時間
6.3
td(off)關(guān)斷延遲時間
124.6
tf
開啟下降時間
15.8



國產(chǎn)場效應管 150N03的封裝外形圖:

blob.png


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