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產(chǎn)品分類

Product Categories
中低壓MOS管 120N03 PDFN5X6-8L
中低壓MOS管 120N03 PDFN5X6-8L
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):120N03
產(chǎn)品封裝:PDFN5X6-8L
產(chǎn)品標(biāo)題:中低壓MOS管 120N03 PDFN5X6-8L MOSFET生產(chǎn)廠家 大電流場(chǎng)效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


中低壓MOS管 120N03 PDFN5X6-8L MOSFET生產(chǎn)廠家 大電流場(chǎng)效應(yīng)管



中低壓MOS管 120N03的應(yīng)用:

  • 鋰電池保護(hù)

  • 手機(jī)快速充電



中低壓MOS管 120N03的引腳圖:

blob.png



中低壓MOS管 120N03的極限參數(shù):

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)120A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)66
IDM漏極電流-脈沖320
EAS單脈沖雪崩能量180mJ
IAS雪崩電流60A
PD總耗散功率 TC=25℃187W
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻1.1



中低壓MOS管 120N03的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3032
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


1.52.4

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


2.54.5
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.52.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
56.9
nC
Qgs柵源電荷密度
13.8
Qgd柵漏電荷密度
23.5
Ciss輸入電容
4345
pF
Coss輸出電容
340
Crss反向傳輸電容
225
td(on)開啟延遲時(shí)間
20.1
ns
tr開啟上升時(shí)間
6.3
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
124.6
tf
開啟下降時(shí)間
15.8



中低壓MOS管 120N03的參數(shù)特性曲線圖:

blob.png


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