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產(chǎn)品分類

Product Categories
MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03 TO-263
MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03 TO-263
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào)：100N03
產(chǎn)品封裝：TO-263
產(chǎn)品標(biāo)題：MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03 TO-263 貼片MOSFET參數(shù) 30V100A 低壓MOS
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03 TO-263 貼片MOSFET參數(shù) 30V100A 低壓MOS



MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03的引腳圖：

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MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03的特點(diǎn)：

  • VDS=30V

  • ID=100A

  • RDS(ON)＜4.2mΩ@VGS=10V

  • 封裝：TO-263



MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03的應(yīng)用：

  • 功率切換應(yīng)用程序

  • 硬開關(guān)和高頻電路

  • 不間斷電源



MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03的極限參數(shù)：

(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS：30V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) ID：90A

  • 漏極電流-脈沖 IDM：320A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS：225mJ

  • 總耗散功率 (TC=25℃) PD：176W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 TJ：175℃

  • 結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.67℃/W



MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03的電特性：

(如無(wú)特殊說明，TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=40A


4.25.5mΩ

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


5.26.5
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TC=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TC=125℃



100
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷 VGS=10V
36
nC
柵極電荷 VGS=4.5V
18.5
Qgs柵源電荷密度
5
Qgd柵漏電荷密度
8
Ciss輸入電容
1720
pF
Coss輸出電容
220
Crss反向傳輸電容
165
td(on)開啟延遲時(shí)間
13.5
ns
tr開啟上升時(shí)間
15
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
20
tf
開啟下降時(shí)間
14



MOS場(chǎng)效應(yīng)管 100N03的封裝外形尺寸圖：

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