高頻電路用MOS管 100N03 TO-220 插件MOS 國內(nèi)MOSFET
插件MOS 100N03的特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=100A
RDS(ON)＜4.2mΩ@VGS=10V
封裝：TO-220
插件MOS 100N03的應(yīng)用：
功率切換應(yīng)用程序
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源
插件MOS 100N03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 90 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 320 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 225 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 176 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | 175 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.67 | ℃/W |
插件MOS 100N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=40A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.2 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TC=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TC=125℃ | 100 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 VGS=10V | 36 | nC | ||
| 柵極電荷 VGS=4.5V | 18.5 | ||||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1720 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 220 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 165 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 13.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 15 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 14 |
插件MOS 100N03的封裝外形尺寸圖：
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