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產(chǎn)品分類(lèi)

Product Categories
國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03 TO-252
國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類(lèi)型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):100N03
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03 TO-252 N溝道MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管引腳排列
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03 TO-252 N溝道MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管引腳排列



國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03的引腳排列:

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國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03的應(yīng)用:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • 不間斷電源



國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03的極限值:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)100A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)59
IDM漏極電流-脈沖360
EAS單脈沖雪崩能量95mJ
IAS雪崩電流19.5A
PD總耗散功率 TC=25℃68W
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~175
TJ工作結(jié)溫-55~175
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻2.2



國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03的電特性:

(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3032
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


3.65.5

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


6.79.5
VGS(th)
柵極開(kāi)啟電壓11.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=30V,VGS=0V



1μA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
45
nC
Qgs柵源電荷密度
3
Qgd柵漏電荷密度
15
Ciss輸入電容
2100
pF
Coss輸出電容
326
Crss反向傳輸電容
282
td(on)開(kāi)啟延遲時(shí)間
21
ns
tr開(kāi)啟上升時(shí)間
32
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
59
tf
開(kāi)啟下降時(shí)間
34



國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 100N03的參數(shù)特性曲線圖:

6.png


7.png


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